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SSM6N58NU_V01中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SSM6N58NU_V01
廠商型號

SSM6N58NU_V01

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

文件大小

274.24 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-7 13:52:00

SSM6N58NU_V01規(guī)格書詳情

1. Applications

? Power Management Switches

? DC-DC Converters

2. Features

(1) 1.8-V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 84 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

RDS(ON) = 117 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)

RDS(ON) = 180 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Toshiba Semiconductor and Stor
22+
6UDFN
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
TOSHIBA
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