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SSM6J213FE中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SSM6J213FE
廠商型號

SSM6J213FE

功能描述

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

文件大小

226.76 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-20 23:00:00

SSM6J213FE規(guī)格書詳情

○ Power Management Switch Applications

? 1.5-V drive

? Low ON-resistance: RDS(ON) = 250 m? (max) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 178 m? (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 133 m? (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 103 m? (max) (@VGS = -4.5 V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SSM6J213FE

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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TOSHIBA/東芝
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