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SSM3J76CT

Marking：S6；Package：CST3；MOSFETs Silicon P-Channel MOS

Applications ?High-SpeedSwitching Features (1)1.2Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=390mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=480mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=660mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=900mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=4000mΩ(max)(@VGS=-1.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3J76MFV

MOSFETsSiliconP-ChannelMOS

Applications ?High-SpeedSwitching Features (1)1.2Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=390mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=480mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=660mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=900mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=4000mΩ(max)(@VGS=-1.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多SSM3J76CT供應(yīng)商 更新時間2025-3-29 15:48:00

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