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SPW15N60C3	文件：240.02 Kbytes Page：11 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPW15N60C3	文件：335.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRITION ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤280m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPW15N60CFD	文件：700.63 Kbytes Page：14 Pages	Intrinsic fast-recovery body diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPW15N60C3	文件：749.76 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPW15N60C3_08	文件：749.76 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPW15N60CFD	文件：335.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
15N60	文件：165.12 Kbytes Page：6 Pages	15Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC15N60isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecostumerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypu	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
15N60	文件：1.0671 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
15N60	文件：185.37 Kbytes Page：6 Pages	15A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
15N60	文件：49.33 Kbytes Page：2 Pages	HighSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
15N60CFD	文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
15N60-MT	文件：742.82 Kbytes Page：8 Pages	15A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET ?DESCRIPTION TheUTC15N60-MTisahighvoltageandhighcurrentpower MOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfast switchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahigh ruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusually usedathighspeedswitching	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
AIHD15N60RF	文件：1.75601 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
CEB15N60LN	文件：532.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB15N60SA	文件：449.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED15N60LN	文件：511.86 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,13.6A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED15N60SA	文件：524.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V@TJmax,13.4A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF15N60LN	文件：532.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF15N60SA	文件：449.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP15N60LN	文件：532.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
SPW15N60
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 20.7A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SPW15N60C3	Infineon(英飛凌)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	9548	原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。	詢價
深圳市昂芯微科技有限公司	SPW15N60C3	INFINEON	23+	TO247	6996	只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	SPW15N60C3	INFINEON/英飛凌	24+	TO-247	5	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市智創(chuàng)誠芯電子科技有限公司	SPW15N60C3	INFINEON/英飛凌	TO-247	貨真價實,假一罰十	25000		詢價
深圳市富芯樂電子科技有限公司	SPW15N60C3	Infineon/英飛凌	23+	TO-247	30000	全新原裝現(xiàn)貨特價銷售,歡迎來電查詢	詢價
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深圳市昌和盛利電子有限公司	SPW15N60C3	INFINEON	23+	TO247	12335		詢價
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更多SPW15N60供應(yīng)商更新時間2025-1-7 13:51:00

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