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SPP80P06PG

SIPMOS? Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP80P06PG

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

ISPP80P06P

P-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPB80P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80P06P

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPB80P06PG

SIPMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80P06PG

SIPMOS?Power-TransistorFeaturesEnhancementmodeAvalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP80P06P

P-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP80P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP80P06PH

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SPP80P06PG

  • 功能描述：

    MOSFET P-KANAL

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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VBsemi(臺灣微碧)
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INFINEON/英飛凌
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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INFINEON/英飛凌
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TO220
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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PG-TO220-3
6000
十年配單,只做原裝
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VBSEMI臺灣微碧
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原裝正品，支持實單
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更多SPP80P06PG供應(yīng)商 更新時間2025-3-4 14:50:00

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