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SPP06N60C3中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SPP06N60C3
廠商型號(hào)

SPP06N60C3

功能描述

CoolMOS Power Transistor

文件大小

489.28 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-24 19:25:00

SPP06N60C3規(guī)格書詳情

Features

? New revolutionary high voltage technology

? Ultra low gate charge

? Periodic avalanche rated

? High peak current capability

? Ultra low effective capacitances

? Extreme dv /dt rated

? Improved transconductance

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SPP06N60C3

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V 6.2A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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