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SPI47N10L

SIPMOS Power-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI47N10L

SIPMOS? Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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SPI47N10L_02

SIPMOS? Power-Transistor

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GLU47N10

SURFCOILSMTINDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

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GLX47N10

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PB47N10L

SIPMOS?Power-Transistor

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SPB47N10

SIPMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

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SPB47N10L

SIPMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

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SPI47N10

SIPMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

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SPP47N10

SIPMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SPI47N10L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    SIPMOS®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多SPI47N10L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-3 15:30:00

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