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SPD-U07N60C3

CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI07N60C3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPI07N60C3

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) ?Pb-freeleadplating;RoHScomplian

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SPI07N60C3

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated

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SPI07N60C3

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatecharge

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SPP07N60C3

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated

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SPP07N60C3

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatecharge

InfineonInfineon Technologies AG

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SPP07N60C3

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) ?Pb-freeleadplating;RoHScomplian

InfineonInfineon Technologies AG

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SPP07N60C3

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPU07N60C3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-251(IPAK)packaging ?Highspeedswitching ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?DC-DCconverters ?Motorcontrol ?Switchingapplications

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無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    SPD07N60C3T

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    CoolMOS™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SPD07N60C3T供應商 更新時間2025-3-26 15:53:00

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