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SPD04N60C3

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.95? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPD04N60C3

Cool MOS Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD04N60C3

Cool MOS Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD04N60C3

Cool MOS Power Transistor

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SPD04N60C3_08

Cool MOS Power Transistor

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SPD04N60C3_13

Cool MOS Power Transistor

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SPP04N60C3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPP04N60C3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP04N60C3

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated

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SPP04N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

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SPS04N60C3

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPS04N60C3

CoolMOSPowerTransistor

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SPS04N60C3

CoolMOS??PowerTransistor

CoolMOS?PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfreemoldcompounda) ?Qualif

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SPU04N60C3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPU04N60C3

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTo-251(IPAK)package ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIO

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無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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CoolMOSPowerTransistor

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CoolMOSPowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SPD04N60C3

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V 4.5A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
2020+
TO-252
22000
全新原裝正品 現(xiàn)貨庫(kù)存 價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
英飛凌進(jìn)口
23+
TO-252
280000
100%原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
INFINEO
16+
TO-252
6171
全新原裝/深圳現(xiàn)貨庫(kù)2
 詢(xún)價(jià)
INFINEON/英飛凌
2021+
SOT-252
17714
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢(xún)價(jià)
INFINEON/英飛凌
21+
TO-252
6000
原裝正品
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
23+
TO252
6996
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO252-3
20000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢(xún)價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
24+
TO-252
9518
絕對(duì)原裝現(xiàn)貨,價(jià)格低,歡迎詢(xún)購(gòu)!
 詢(xún)價(jià)
INFINEO
22+
LQFP
7500
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢(xún)價(jià)
更多SPD04N60C3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 11:04:00

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