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SPB80N03S2L-05

OptiMOSPower-Transistor

OptiMOS?Power-Transistor Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI80N03S2L-05

OptiMOSPower-Transistor

OptiMOS?Power-Transistor Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP80N03S2L-05

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPP80N03S2L-05

OptiMOSPower-Transistor

OptiMOS?Power-Transistor Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SPB80N03S2L-05 G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon Technologies
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Infineon Technologies
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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23+
TO-263-3
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
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P-TO263-3-2
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P-TO263-3-2
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更多SPB80N03S2L-05 G供應(yīng)商 更新時間2025-5-31 10:31:00

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