91精品国产色综合久久久蜜桃臀,青青青国产免费线在

首頁(yè) >SPB07N60C3>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
SPB07N60C3	文件：374.19 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) ?Pb-freeleadplating;RoHScomplian	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPB07N60C3	文件：1.39471 Mbytes Page：13 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPB07N60C3	文件：189.64 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPB07N60C3	文件：1.10803 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SPB07N60C3_05	文件：1.39471 Mbytes Page：13 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD07N60C3	文件：980.68 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD07N60C3	文件：287.66 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor CoolMOS?PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO-251andTO-252 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;Rohscom	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD07N60C3	文件：336.64 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPD07N60C3	文件：953.21 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD-U07N60C3	文件：953.21 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI07N60C3	文件：331.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPI07N60C3	文件：374.19 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) ?Pb-freeleadplating;RoHScomplian	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI07N60C3	文件：625.63 Kbytes Page：15 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI07N60C3	文件：1.30229 Mbytes Page：15 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatecharge	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP07N60C3	文件：625.63 Kbytes Page：15 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP07N60C3	文件：1.30229 Mbytes Page：15 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatecharge	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP07N60C3	文件：374.19 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) ?Pb-freeleadplating;RoHScomplian	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP07N60C3	文件：339.45 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPU07N60C3	文件：247.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-251(IPAK)packaging ?Highspeedswitching ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?DC-DCconverters ?Motorcontrol ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPU07N60C3	文件：980.68 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

12 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SPB07N60C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 7.3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	SPB07N60C3	INFINEON/英飛凌	2404+	TO-263	3300	現(xiàn)貨正品原裝,假一賠十	詢(xún)價(jià)
深圳市正納電子有限公司	SPB07N60C3	INFINEON	+ROHS全新原裝	TO263-2.5	25687	正納電子優(yōu)勢(shì)原裝特價(jià)長(zhǎng)期供應(yīng)元器件代理分銷(xiāo)	詢(xún)價(jià)
深圳市英科美電子有限公司	SPB07N60C3	INFINEON/英飛凌	2021+	SOT-263	17380	原裝進(jìn)口假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市昂芯微科技有限公司	SPB07N60C3	INFINEON	23+	TO263	6996	只做原裝正品現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SPB07N60C3	英飛翎	17+	D2PAK(TO-263)	31518	原裝正品可含稅交易	詢(xún)價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	SPB07N60C3	Infineon(英飛凌)	23+	TO-263	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢(xún)價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	SPB07N60C3	INFINEON	2016+	TO263	6523	只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!	詢(xún)價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	SPB07N60C3	INFINEON	2016+	TO263	9000	只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!	詢(xún)價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	SPB07N60C3	Infineo	2020+	TO-263	92	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢(xún)價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	SPB07N60C3	INFINEON	24+	原廠原封	6000	原裝進(jìn)口香港現(xiàn)貨價(jià)優(yōu)	詢(xún)價(jià)

更多SPB07N60C3供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 16:12:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書(shū)

相關(guān)庫(kù)存