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SMUN2230T1G分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

SMUN2230T1G
廠商型號

SMUN2230T1G
參數(shù)屬性

SMUN2230T1G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置；產品描述：TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59
功能描述

Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhn
TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

144.37 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-16 18:30:00

SMUN2230T1G規(guī)格書詳情

SMUN2230T1G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置。由安森美半導體公司制造生產的SMUN2230T1G晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器，設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base?emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

Features

? Simplifies Circuit Design

? Reduces Board Space

? Reduces Component Count

? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified

and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    SMUN2230T1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    3 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 5mA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SC-59

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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