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SMS01	文件：191.09 Kbytes Page：3 Pages	Safety Magnetic Sensors Rectangular Safety Magnetic Sensors	CARLOGAVAZZI Carlo Gavazzi Holding AG	CARLOGAVAZZI
SMS010N02D1	文件：490.29 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology FeaturesandBenefits: ?AdvancedMOSFETprocesstechnology ?SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications ?Ultralowon-resistancewithlowgatecharge ?Fastswitchingandreversebodyrecovery ?150℃operatingtemperature Description: Itutilizesthelates	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SMS010N03D1	文件：491.97 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology FeaturesandBenefits: ?AdvancedMOSFETprocesstechnology ?SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications ?Ultralowon-resistancewithlowgatecharge ?Fastswitchingandreversebodyrecovery ?150℃operatingtemperature Description: Itutilizesthelates	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SMS010N04A1	文件：271 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology FeaturesandBenefits: ?AdvancedMOSFETprocesstechnology ?SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications ?Ultralowon-resistancewithlowgatecharge ?Fastswitchingandreversebodyrecovery ?150℃operatingtemperature Description: Itutilizesthelates	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SMS010N05D1	文件：491.73 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology FeaturesandBenefits: ?AdvancedMOSFETprocesstechnology ?SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications ?Ultralowon-resistancewithlowgatecharge ?Fastswitchingandreversebodyrecovery ?150℃operatingtemperature Description: Itutilizesthelates	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SMS010N06D1	文件：779.78 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFET process technology FeaturesandBenefits: ?AdvancedMOSFETprocesstechnology ?SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications ?Ultralowon-resistancewithlowgatecharge ?Fastswitchingandreversebodyrecovery ?150℃operatingtemperature Description: tutilizesthelate	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SMS010N10J7	文件：337.52 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology FeaturesandBenefits: ?AdvancedMOSFETprocesstechnology ?SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications ?Ultralowon-resistancewithlowgatecharge ?Fastswitchingandreversebodyrecovery ?150℃operatingtemperature Description: Itutilizesthelates	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SMS015N07A1	文件：308.47 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology FeaturesandBenefits: ?AdvancedMOSFETprocesstechnology ?SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications ?Ultralowon-resistancewithlowgatecharge ?Fastswitchingandreversebodyrecovery ?150℃operatingtemperatur Description Itutilizesthelatest	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SMS015N10J7	文件：340.69 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology FeaturesandBenefits: ?AdvancedMOSFETprocesstechnology ?SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications ?Ultralowon-resistancewithlowgatecharge ?Fastswitchingandreversebodyrecovery ?150℃operatingtemperature Description: Itutilizesthelates	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SMS015N12D1	文件：498.12 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology FeaturesandBenefits: ?AdvancedMOSFETprocesstechnology ?SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications ?Ultralowon-resistancewithlowgatecharge ?Fastswitchingandreversebodyrecovery ?150℃operatingtemperature Description: Itutilizesthelates	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SMS012YE	文件：304.24 Kbytes Page：3 Pages	12 WATT	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
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SMS01GAFA5E	文件：1.1828 Mbytes Page：61 Pages	64 MByte, 128 MByte, 256 MByte 512 MByte and 1 GByte, 3.3V Supply Secure Digital??Card	NUMONYX numonyx	NUMONYX
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SMS01GFFA5E	文件：1.1828 Mbytes Page：61 Pages	64 MByte, 128 MByte, 256 MByte 512 MByte and 1 GByte, 3.3V Supply Secure Digital??Card	NUMONYX numonyx	NUMONYX
SMS01GDFB5E	文件：100 bytes Page：1 Pages	類別：存儲卡，模塊存儲卡描述：MEMORY CARD MICROSD 1GB CLASS 2	Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.

詳細(xì)參數(shù)

型號：
SMS01
制造商：
Carlo Gavazzi
功能描述：
Magnetic Sensor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市鵬順微電子科技有限公司	SMS01GDFB5E	Micron Technology Inc.	2022+	1GB	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	SMS02	Carlo Gavazzi	22+	Na	1208	航宇科工半導(dǎo)體-中國航天科工集團(tuán)戰(zhàn)略合作伙伴!	詢價
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更多SMS01供應(yīng)商更新時間2025-1-6 15:00:00

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