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SMMBT3906LT3G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

SMMBT3906LT3G
廠商型號(hào)

SMMBT3906LT3G

參數(shù)屬性

SMMBT3906LT3G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

功能描述

General Purpose Transistor
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

140.01 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-8 22:21:00

SMMBT3906LT3G規(guī)格書詳情

SMMBT3906LT3G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的SMMBT3906LT3G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

General Purpose Transistor

PNP Silicon

Features

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control

Change Requirements

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SMMBT3906LT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價(jià)
ON/安森美
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NA/
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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