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SKP10N60A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SKP10N60A
廠商型號

SKP10N60A
參數(shù)屬性

SKP10N60A 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 20A 92W TO220-3
功能描述

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
IGBT 600V 20A 92W TO220-3
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

438.56 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-30 17:00:00

SKP10N60A規(guī)格書詳情

SKP10N60A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SKP10N60A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode

● 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses

● Short circuit withstand time – 10 μs

● Designed for:

?? - Motor controls

?? - Inverter

● NPT-Technology for 600V applications offers:

?? - very tight parameter distribution

?? - high ruggedness, temperature stable behaviour

?? - parallel switching capability

● Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode

● Pb-free lead plating; RoHS compliant

● Qualified according to JEDEC1 for target applications

● Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    SKP10N60AXKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    320μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    28ns/178ns

  • 測試條件：

    400V，10A，25 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO220-3-1

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 92W TO220-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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