訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁(yè)>SISS27DN-T1-GE3>芯片詳情
SISS27DN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III深圳達(dá)恩科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SISS27DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III
- RoHS:
否
- 制造商:
Vishay Semiconductors
- 晶體管極性:
P-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
30 V
- 閘/源擊穿電壓:
+/- 20 V
- 漏極連續(xù)電流:
50 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
5.6 mOhms
- 配置:
Single
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerPAK 1212-8
- 封裝:
Reel
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市達(dá)恩科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機(jī):
17608451391
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-23917962
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新亞洲國(guó)利大廈1515
相近型號(hào)
- SISS30DN-T1-GE3
- SISS26DN-T1-GE3
- SISS30LDN-T1-GE3
- SISS32ADN-T1-GE3
- SISS23DN-T1-GE3
- SISS32DN-T1-GE3
- SISS23DNT1GE3
- SISS32LDN-T1-GE3
- SISS23DN-T1-E3
- SISS40DN
- SISS23DN
- SISS40DN-T1-E3
- SISS22LDN-T1-GE3
- SISS40DNT1GE3
- SISS22LDN-T1
- SISS40DN-T1-GE3
- SISS22DN-T1-GE3
- SISS12DN-T1-GE3
- SISS42DN-T1-GE3
- SISS10DN-T1-GE3
- SISS42LDN-T1-GE3
- SISS10DNT1GE3
- SISS4402DN-T1-GE3
- SISS10DN-T1-E3
- SISS46DN-T1-GE3
- SISS10ADN-T1-GE3
- SISS50DN-T1
- SISS10ADN-T1-G3
- SISS50DN-T1-E3
- SISS08DN-T1-GE3
- SISS50DN-T1-GE3
- SISS06DN-T1-GE3
- SISS5108DN-T1-GE3
- SISS-06
- SISS52DN-T1-GE3
- SISS05DN-T1-GE3
- SISS54DN-T1-GE3
- SISS05DN-T1
- SISS5710DN-T1-GE3
- SISS04DN-T1-GE3
- SISS60DN-T1-GE3
- SISS02DN-T1-GE3
- SISS60DN-T1-GE3IC
- SISRW165V
- SISS61DN-GE3
- SIS-PT20
- SISS61DN-T1-GE3
- SIS-PT07
- SISS62DN-T1-E3
- SIS-PT04