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SIR416DP-T1-GE3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIR416DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIR418DP

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIR418DP

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

TFUNKVishay Telefunken

威世威世（VISHAY）集團(tuán)

SIR418DP-T1-GE3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIR422DP

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIR422DP

N-Channel MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

SIR422DP

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

TFUNKVishay Telefunken

威世威世（VISHAY）集團(tuán)

SIR422DP_V01

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIR422DP-T1-GE3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SIR4

  • 功能描述：

    MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY
14+
51000
詢價(jià)
VISHAY
09+
QFN
2600
全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
VISHAY
23+
8-SOIC
6680
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
VISHAY
2020+
QFN8
7700
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
VISHAY
13+
SO-8
4113
原裝分銷
 詢價(jià)
ON
23+
SOT-252
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
VISHAY
16+
QFN8
8800
進(jìn)口原裝大量現(xiàn)貨熱賣中
 詢價(jià)
Vishay
24+
POWERPAKSO-8
6000
進(jìn)口原裝正品假一賠十,貨期7-10天
 詢價(jià)
VISHAYINC
24+
3000
詢價(jià)
VISHAY
2016+
QFN
6000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價(jià)
更多SIR4供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-29 10:32:00

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