国产va免费高清在线观看,99精品视频60欧美

首頁 >SIHH11N60E>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
SIHH11N60E	文件：197.47 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Fullylead(Pb)-freedevice ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Kelvinconnectionforreducedgatenoise ?Materialcategorization:fordefinit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHH11N60E	文件：196.81 Kbytes Page：9 Pages	Reduced switching and conduction losses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHH11N60E_V01	文件：197.47 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Fullylead(Pb)-freedevice ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Kelvinconnectionforreducedgatenoise ?Materialcategorization:fordefinit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHH11N60EF	文件：212.7 Kbytes Page：9 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHH11N60EF_V01	文件：202.29 Kbytes Page：9 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHH11N60EF-T1-GE3	文件：202.29 Kbytes Page：9 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SPA11N60CFD	文件：260.899 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplica	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPA11N60CFD	文件：262.52 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelylowreverserecoverycharge ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Periodicavalancherated ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPA11N60CFD	文件：560.84 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPA11N60CFD	文件：210.02 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI11N60CFD	文件：1.56068 Mbytes Page：12 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargePeriodicavalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI11N60CFD	文件：331.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPP11N60CFD	文件：1.03638 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS)	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SPP11N60CFD	文件：338.75 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.44? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPP11N60CFD	文件：647.24 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP11N60CFD	文件：680.24 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP11N60CFD	文件：151.66 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelowreverserecoverycharge	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPW11N60CFD	文件：753.64 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPW11N60CFD	文件：152.55 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelowreverserecoverycharge ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordi	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPW11N60CFD	文件：335.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤440m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

12 >>>

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SIHH11N60E	VISHAY/威世	23+	PAK8X8L	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SIHH11N60E	VISHAY/威世	23+	PAK8X8L	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	SIHH11N60E	VISHAY/威世	21+	PAK8X8L	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	SIHH11N60E	VISHAY/威世	2022	PAK8X8L	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市特萊科技有限公司	SIHH11N60E	VISHAY/威世	24+23+	PAK8X8L	12580	16年現(xiàn)貨庫存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	SIHH11N60E	VISHAY/威世	23+	NA/	8963	優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價(jià)
深圳市浩睿澤電子科技有限公司	SIHH11N60E	VISHAY/威世	新批次	PAK8X8L	4326		詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	SIHH11N60E	VISHAY/威世	23+	PAK8X8L	7000		詢價(jià)
艾睿國際（香港）有限公司	SIHH11N60E-T1-GE3	VISHAY/威世	2021+	PwPAK8x8	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	SIHH11N60E-T1-GE3	VISHAY	20+	DFN	1675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)

更多SIHH11N60E供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 13:00:00

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存