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SIHG47N65E-GE3_INFINEON/英飛凌_MOSFET 650V 72mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS深圳市毅創(chuàng)騰

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    SIHG47N65E-GE3

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    1000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-17 10:20:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：SIHG47N65E-GE3品牌：INFINEON

正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談

  • 芯片型號(hào)：

    SIHG47N65E-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng)：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET 650V 72mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SIHG47N65E-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 650V 72mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay/Siliconix

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    700 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    20 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    47 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.072 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    TO-247AC-3

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    夏先生(XILINX,ALTERA代理旗下一級(jí)分銷(xiāo)商!)

  • 手機(jī)：

    15889532456

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83219286

  • 傳真：

    0755-83231283

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路現(xiàn)代之窗大廈B座18I室

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