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SiHG460B-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SiHG460B-GE3
廠商型號(hào)

SiHG460B-GE3

功能描述

D Series Power MOSFET

文件大小

188.95 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-17 22:59:00

SiHG460B-GE3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Optimal Design

?? - Low Area Specific On-Resistance

?? - Low Input Capacitance (Ciss)

?? - Reduced Capacitive Switching Losses

?? - High Body Diode Ruggedness

?? - Avalanche Energy Rated (UIS)

? Optimal Efficiency and Operation

?? - Low Cost

?? - Simple Gate Drive Circuitry

?? - Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x Qg

?? - Fast Switching

? Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

Note

* Lead (Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant. Exemptions may apply.

APPLICATIONS

? Consumer Electronics

?? - Displays (LCD or Plasma TV)

? Server and Telecom Power Supplies

?? - SMPS

? Industrial

?? - Welding

?? - Induction Heating

?? - Motor Drives

? Battery Chargers

? SMPS

?? - Power Factor Correction (PFC)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SIHG460B-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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