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SIHG33N60E中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIHG33N60E
廠商型號

SIHG33N60E

功能描述

Reduced switching and conduction losses

文件大小

198.24 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-11 20:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SIHG33N60E

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Vishay(威世)
24+
標準封裝
22490
原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期
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VISHAY/威世
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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