首頁>SIHG30N60E-GE3>詳情

SIHG30N60E-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS安富世紀一部

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    SIHG30N60E-GE3

  • 產品分類：

    IC芯片

  • 生產廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數(shù)量：

    50000

  • 產品封裝：

    TO247

  • 生產批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-18 9:00:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SIHG30N60E-GE3品牌：VISHAY

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

  • 芯片型號：

    SIHG30N60E-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導體

  • 內容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    176.64 kb

  • 資料說明：

    E Series Power MOSFET

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SIHG30N60E-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    謝云

  • 手機：

    19924902278

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83204142

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17e

相近型號