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SIHG20N50C

High Peak Current Capability

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?HighPeakCurrentCapability ?dV/dtRuggedness ?ImprovedTrr/Qrr ?ImprovedGateCharge ?HighPowerDissipationsCapability ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG20N50C

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive ·DC-DCconverter ·Powerswitchandsolenoiddrive

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHG20N50C-E3

Power MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?HighPeakCurrentCapability ?dV/dtRuggedness ?ImprovedTrr/Qrr ?ImprovedGateCharge ?HighPowerDissipationsCapability ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG20N50E

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG20N50E_V01

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SiHG20N50C

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG20N50C

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHG20N50C_17

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG20N50C_V01

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG20N50C-E3

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SIHG20N50

  • 功能描述：

    MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay(威世)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8176
原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期
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VISHAY
23+
TO-247
39360
一級分銷商
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VISHAY/威世
22+
TO-247
3000
十七年VIP會員,誠信經(jīng)營，一手貨源，原裝正品可零售！
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Vishay(威世)
2249+
59755
二十余載金牌老企 研究所優(yōu)秀合供單位 您的原廠窗口
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VISHAY
23+
TO-247
8560
原包裝原標(biāo)簽特價銷售
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VISHAY/威世
2410+
TO-247
15250
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
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VISHAY
2024+
N/A
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柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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Vishay
ZIPP
3200
原裝長期供貨!
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VISHAY
2020+
TO247
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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VISHYA
24+
TO247
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
更多SIHG20N50供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 23:00:00

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