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SIHFR9110-E3中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIHFR9110-E3
廠商型號(hào)

SIHFR9110-E3

功能描述

Power MOSFET

文件大小

3.89222 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-30 23:00:00

SIHFR9110-E3規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effictiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU Series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surcace mount applications.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFR9110/SiHFR9110)

? Straight Lead (IRFU9110/SiHFU9110)

? Available in Tape and Reel

? P-Channel

? Fast Switching

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SIHFR9110-E3

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Power MOSFET

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