首頁>SIGC19T60SE>規(guī)格書詳情

SIGC19T60SE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SIGC19T60SE
廠商型號

SIGC19T60SE
參數(shù)屬性

SIGC19T60SE 封裝/外殼為模具；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 3 CHIP 600V
功能描述

600V trench & field stop technology
IGBT 3 CHIP 600V
文件大小

286.17 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-11-7 11:00:00

SIGC19T60SE規(guī)格書詳情

SIGC19T60SE屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SIGC19T60SE晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號：

    SIGC19T60SEX1SA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.97V @ 15V，40A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    IGBT 3 CHIP 600V

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON
23+
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
N/A
15000
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨
 詢價
Infineon Technologies
24+
模具
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
45000
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價
INFINEON
23+
--
14253
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,
 詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價
INFINEON
23+
7000
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
N/A
9000
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)
 詢價

相關(guān)庫存

更多