首頁>SIGC109T120R3LEX1SA2>芯片詳情

SIGC109T120R3LE 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

SIGC109T120R3LE參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    SIGC109T120R3LE

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON

  • 庫存數(shù)量：

    8000

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-2-8 15:00:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SIGC109T120R3LE品牌：INFINEON

只做原裝現(xiàn)貨

SIGC109T120R3LE是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝模具的SIGC109T120R3LE晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    SIGC109T120R3LE

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    5 頁

  • 文件大?。?/span>

    197.57 kb

  • 資料說明：

    positive temperature coefficient

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    SIGC109T120R3LEX1SA2

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，100A

  • 輸入類型：

    標準

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    IGBT 1200V 100A DIE

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    趙妍

  • 手機：

    18100277303

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23991454

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17E

相近型號