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SIGC109T120R3LE 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

SIGC109T120R3LE參考圖片

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原廠料號：SIGC109T120R3LE品牌：INFINEON

原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,

SIGC109T120R3LE是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝--/模具的SIGC109T120R3LE晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    SIGC109T120R3LE

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    5 頁

  • 文件大小：

    197.57 kb

  • 資料說明：

    positive temperature coefficient

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    SIGC109T120R3LEX1SA2

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，100A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    IGBT 1200V 100A DIE

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市川藍(lán)電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    黃小姐/胡小姐

  • 手機(jī)：

    13427997159

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82522939

  • 傳真：

    0755-82522939

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北嘉匯新城匯商中心1020

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