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SIGC109T120R3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
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原廠料號(hào):SIGC109T120R3品牌:INFINEON
SIGC109T120R3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝1/模具的SIGC109T120R3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
SIGC109T120R3LEX1SA2
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,100A
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
模具
- 供應(yīng)商器件封裝:
模具
- 描述:
IGBT 1200V 100A DIE
供應(yīng)商
- 企業(yè):
天津市博通航睿技術(shù)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
馬總
- 手機(jī):
18322198211
- 詢(xún)價(jià):
- 電話:
18322198211
- 地址:
天津市南開(kāi)區(qū)科研西路12號(hào)356室
相近型號(hào)
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