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SIE862DF-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIE862DF-T1-GE3
廠商型號

SIE862DF-T1-GE3

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件大小

210.24 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 20:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SIE862DF-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 134A 104W 3.2mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VISHAY/威世
22+
PolarPAK
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
VISHAY
11+
QFN
3000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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VISHAY/威世
2022
QFN
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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VISHAY
22+23+
QFN
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絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨
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SO8
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Vishay Siliconix
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9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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VISHAY/威世
21+
QFN
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價