首頁(yè)>SIE848DF-T1-E3>詳情

SIE848DF-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V拓億芯1部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SIE848DF-T1-E3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    30000

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-23 16:51:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SIE848DF-T1-E3品牌：VISHAY/威世

代理原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 芯片型號(hào)：

    SIE848DF-T1-E3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    208.82 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SIE848DF-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市拓億芯電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機(jī)：

    13510175077

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82777855/0755-82702619

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興西路華康大廈2棟603室

相近型號(hào)