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SIE802DF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIE802DF
廠商型號

SIE802DF

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件大小

195.62 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-11 10:24:00

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SIE802DF規(guī)格書詳情

FEATURES

? Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

? TrenchFET? Gen II Power MOSFET

? Ultra Low Thermal Resistance Using Top-

Exposed PolarPAK? Package for Double-Sided

Cooling

? Leadframe-Based New Encapsulated Package

- Die Not Exposed

- Same Layout Regardless of Die Size

? Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through

? 100 Rg and UIS Tested

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

? VRM

? DC/DC Conversion: Low-Side

? Synchronous Rectification

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SIE802DF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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