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SIDR5802EP中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIDR5802EP
廠商型號(hào)

SIDR5802EP

功能描述

N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET

文件大小

178.81 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-2 23:00:00

SIDR5802EP規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? Gen V power MOSFET

? Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

? Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization: for definitions of

compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Synchronous rectification

? Primary side switch

? DC/DC converters

? OR-ing and hot swap switch

? Power supplies

? Motor drive control

? Battery management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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