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SI9926	文件：393.58 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
SI9926BDY	文件：182.97 Kbytes Page：3 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectrical characteristicsofthen-channelverticalDMOS.Thesubcircuit modelisextractedandoptimizedoverthe?55to125°C temperaturerangesunderthepulsed0to5Vgatedrive.The saturatedoutputimpedanceisbest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926BDY	文件：109.92 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETS ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926BDY_V01	文件：109.92 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETS ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926CDY	文件：200.99 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100UIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?DC/DCconverter? -Gamemachine? -PC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926CDY_V01	文件：200.99 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100UIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?DC/DCconverter? -Gamemachine? -PC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926CDY-T1-E3	文件：200.99 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100UIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?DC/DCconverter? -Gamemachine? -PC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926CDY-T1-GE3	文件：200.99 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100UIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?DC/DCconverter? -Gamemachine? -PC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926DY	文件：85.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET GeneralDescription TheseN-Channel2.5VspecifiedMOSFETsuseFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–10V). Features ?6.5A,20V.RDS(ON)=0.030?@VGS=4.5VRDS(ON)=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SI9926ADY	文件：37.12 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926ADY-T1-E3	文件：985.85 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SI9926BDY	文件：251.13 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926BDY	文件：499.88 Kbytes Page：2 Pages	Dual N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
SI9926BDY-HF	文件：525.24 Kbytes Page：2 Pages	Dual N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
SI9926BDY-T1-E3	文件：251.13 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926BDY-T1-E3	文件：985.9 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SI9926CD	文件：258.38 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
SI9926CDY	文件：255.75 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926CDY	文件：1.33306 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
SI9926CDY-T1-E3	文件：255.75 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
SI9926
功能描述：
MOSFET NCH DUAL MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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