首頁(yè)>SI7452DP-T1-GE3>詳情

SI7452DP-T1-GE3_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10V京海四部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SI7452DP-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VB

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    QFN8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    21+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-24 10:10:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：SI7452DP-T1-GE3品牌：VB

原裝現(xiàn)貨假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    SI7452DP-T1-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱(chēng)：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10V

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI7452DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    18948176968

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    18948176968

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海大廈C棟706

相近型號(hào)