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SI6923DQ中文資料仙童半導體數據手冊PDF規(guī)格書

SI6923DQ
廠商型號

SI6923DQ

功能描述

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode

文件大小

92.73 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-27 22:58:00

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SI6923DQ規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It is combined with a low forward drop Schottky diode which is isolated from the MOSFET, providing a compact power solution for asynchronous DC/DC converter applications.

Features

? –3.5 A, –20 V. RDS(ON) = 0.045 ? @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 0.075 ? @ VGS = –2.5 V

? VF < 0.55 V @ 1 A

? High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

? Low profile TSSOP-8 package

Applications

? DC/DC conversion

產品屬性

  • 型號:

    SI6923DQ

  • 功能描述:

    MOSFET TSSOP8 FETKEY

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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