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SI6467DQ中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI6467DQ
廠商型號

SI6467DQ

功能描述

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

98.13 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-11 15:28:00

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SI6467DQ規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (1.8V – 8V).

Features

? –9.2 A, –20 V.

RDS(ON) = 12 m? @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 15 m? @ VGS = –2.5 V

RDS(ON) = 21.5 m? @ VGS = –1.8 V

? Rds ratings for use with 1.8 V logic

? Low gate charge

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

? Low profile TSSOP-8 package

Applications

? Load switch

? Motor drive

? DC/DC conversion

? Power management

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI6467DQ

  • 功能描述:

    MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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