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SI5908DC-T1-GE3_VAISH_MOSFET N-CH 20V 1206-8齊創(chuàng)科技

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  • 廠家型號(hào)：

    SI5908DC-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VAISH/Vaishali Semiconductor

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    27000

  • 產(chǎn)品封裝：

    ECH8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-17 15:35:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SI5908DC-T1-GE3品牌：VIS

原裝正品,假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    SI5908DC-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1105.29 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI5908DC-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 20V 1206-8

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個(gè) N 溝道（雙） FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王先生/綦先生【原裝正品】

  • 手機(jī)：

    18616352679

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    021-32301707

  • 地址：

    上海市靜安區(qū)海寧路1399號(hào)/北京市海淀區(qū)中海園電子市場(chǎng)/青島市城陽(yáng)區(qū)正陽(yáng)路205號(hào)

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