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SI5517DU-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V躍創(chuàng)芯
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI5517DU-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李小姐
- 手機(jī):
19065122659
- 詢價(jià):
- 電話:
13510546959
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福山社區(qū)彩田路2010號(hào)中深花園B1008M15
相近型號(hào)
- SI5515DCT1GE3
- SI5518B-B14501-GM
- SI5518MVC
- SI5515DC-T1-E3IC
- SI5519DU-T1-E3
- SI5515DC-T1-E3
- SI5519DUT1GE3
- SI5515DCT1E3
- SI5519DU-T1-GE3
- SI5515DC-T1
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- SI5515DCT1
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- SI5515DC
- SI552BE000170DGR
- SI5515CDC-T1-GE3
- SI552BE000307DG
- SI5515CDCT1GE3
- SI5530-BC
- SI5515CDC-T1-E3
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- SI5543DC-T1
- SI5515CDCD-T1-GE3
- SI5546NL
- SI5515CDC
- SI5547NL
- SI5513DVC-T1
- SI554NE000156BG
- SI5513DL-T1
- SI555
- SI5513DC-T1-GE3
- SI-56001-F
- SI5513DCT1GE3
- SI-5600D
- SI5513DC-T1-E3IC
- SI5618
- SI5513DC-T1-E3
- SI5618A
- SI5513DCT1E3
- SI5618A-TP
- SI5618HE3
- SI5513DC-T1
- SI5618-TP
- SI562
- SI5513DC
- SI-562A
- SI5513CDC-TI
- SI562C
- SI570ABB000696G