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SI4943BDY-T1-E3中文資料百域芯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4943BDY-T1-E3
廠商型號

SI4943BDY-T1-E3

功能描述

Dual P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

1.66056 Mbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED
企業(yè)簡稱

Bychip百域芯

中文名稱

深圳市百域芯科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-25 17:09:00

SI4943BDY-T1-E3規(guī)格書詳情

Features

VDS= -20V, ID= -13 A

RDS(ON) < 15mΩ @ VGS = -10V

RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = -4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI4943BDY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 8.4A 2W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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