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SI4832DY

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI4832DY-T1

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

4832

Idealresistorforprecisioninstrumentation

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

4832

MetalFilmResistorsMetalFilmResistors

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

4832

UltraPrecisionBulkMetalFilmResistors

WELWYN

Welwyn Components Limited

4832

NYLONM/FHEXSTANDOFF

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

AGM4832B

LCDMODULE

LCDMODULE

AZDISPLAYS

AZ Displays

AGM4832C

LCDMODULE

MECHANICALDATA

AZDISPLAYS

AZ Displays

AGM4832D

LCDMODULE

LCDMODULE

AZDISPLAYS

AZ Displays

AM4832N

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

AnalogPower

Analog Power

AO4832

Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4832isPb-free(meetsROHS&Sony259sp

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AO4832

N-Channel0-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

AO4832

30VDualN-ChannelMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AO4832

DualN-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

AO4832

DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RDs(ON)=16mQ@VGS=10V RDS(ON)=20mQ@VGS=4.5V SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDs(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

AO4832

30VN-ChannelMOSFET

ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)10A RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

AO4832

30VDualN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)withlowgatecharge. ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSand generalpurposeapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)10A RDS(ON)(atVGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

AO4832

DualN-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=30V,ID=12A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

AO4832-HF

DualN-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

AO4832L

Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4832isPb-free(meetsROHS&Sony259sp

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SI4832DY

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 9A 2.5W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
05/06+
SOP8
549
全新原裝100真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
SI
24+
貼片
3000
自己現(xiàn)貨
 詢價(jià)
SI
24+
SMD
7500
十年品牌!原裝現(xiàn)貨!!!
 詢價(jià)
SIL
01+
SOIC-8
4
原裝現(xiàn)貨海量庫(kù)存歡迎咨詢
 詢價(jià)
SIL
22+
SOIC-8
3000
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
SOP-8
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
 詢價(jià)
SIL
01+
SOIC-8
6000
絕對(duì)原裝自己現(xiàn)貨
 詢價(jià)
VISHAY
1709+
SOP8
45000
普通
 詢價(jià)
VIS
23+
SOP-8
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
VIS
23+
SOP-8
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
更多SI4832DY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 10:32:00

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