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SI4804CDY-T1-E3

Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=30V,ID=9A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

詳細參數

  • 型號：

    SI4804CDY-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 產品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應商設備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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