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SI4662DY-T1-GE3_VBSEMI/微碧半導體_MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V威爾健半導體

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  • 廠家型號：

    SI4662DY-T1-GE3

  • 產品分類：

    IC芯片

  • 生產廠商：

    VBSEMI/微碧半導體

  • 庫存數(shù)量：

    50000

  • 產品封裝：

    SO-8

  • 生產批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-16 10:59:00

  • 詳細信息
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原廠料號：SI4662DY-T1-GE3品牌：VBSEMI/臺灣微碧

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

  • 芯片型號：

    SI4662DY-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導體（臺灣）有限公司

  • 資料說明：

    MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI4662DY-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市威爾健半導體有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蘇經理

  • 手機：

    17302670410

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83383789

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17e

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