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SI4463DY中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4463DY
廠商型號

SI4463DY

功能描述

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

49.42 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-12 8:22:00

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SI4463DY規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

Features

? –11.5 A, –20 V. RDS(ON) = 12 m? @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 17.5 m? @ VGS = –2.5 V

? Fast switching speed.

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

? High power and current handling capability

Applications

? Power management

? Load switch

? Battery protection

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI4463DY

  • 功能描述:

    MOSFET SO8 PCH 20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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