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SI4435BDY	文件：247.83 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?AdvancedHighCellDensityProcess ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
Si4435BDY	文件：232.84 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?AdvancedHighCellDensityProcess ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435BDY_V01	文件：91.62 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100Rgtested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcomplianceplease seewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Loadswitch ?Batteryswitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435BDY-T1-E3	文件：1.00126 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?LoadSwitch ?BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SI4435BDY-T1-E3	文件：232.84 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?AdvancedHighCellDensityProcess ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435DDY	文件：279.47 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435DDY	文件：279.47 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435DDY-T1-GE3	文件：279.47 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435DY	文件：93.27 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features ?–8.8A,–30VRDS(ON)=20mΩ@VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SI4435DY	文件：82.64 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.020ohm VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DY	文件：490.75 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS=-30V ●RDS(on)=0.02Ω@VGS=-10V ●RDS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
SI4435DY-HF	文件：523.049 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS=-30V ●RDS(on)=0.02Ω@VGS=-10V ●RDS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5V ●Pb?FreePackageMaybeAvailable.TheG?SuffixDenotesa Pb?FreeLeadFinish	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
SI4435DYPBF	文件：107.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DY-T1-E3	文件：1.00124 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?LoadSwitch ?BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SI4435DYTRPBF	文件：88.2 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435ADY-T1-E3	文件：1.00307 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SI4435BDY	文件：95.44 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435BDY_1	文件：95.44 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
Si4435DDY	文件：212.25 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435DDY	文件：1.16631 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
SI4435
制造商：
Vishay Intertechnologies
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市得捷芯城科技有限公司	SI4435BDY	Vishay(威世)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	16048	原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	SI4435BDY	VISHAY	2020+	SOP8	18600	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
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深圳市硅宇電子有限公司	SI4435BDY	Vishay(威世)	2249+		61025	二十余載金牌老企研究所優(yōu)秀合供單位您的原廠窗口	詢價(jià)
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	SI4435BDY	VISHAY	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	SI4435BDY	VISHAY	24+		2654		詢價(jià)
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深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	SI4435BDY	VISHAY		SOP8	320	正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談	詢價(jià)

更多SI4435供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 14:16:00

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