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SI4190DY-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
SI4190DY-T1-GE3規(guī)格書詳情
FEATURES
? Super Trench technology Power MOSFET
? Excellent gate charge x Rds (on) product(FOM)
? Very low on-resfistance Rds (on)
? 100 Rg and UIS Tested
APPLICATIONS
? DC/DC Primary Side Switch
? Telecom/Server
? Motor Drive Control
? Synchronous Rectification
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI4190DY-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
24+ |
SOIC-8 |
25000 |
一級(jí)專營品牌全新原裝熱賣 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
8-SO |
25000 |
只有原裝絕對(duì)原裝,支持BOM配單! |
詢價(jià) | ||
V |
2020+ |
SO-8 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
22+ |
NA |
6500 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
2021/2022+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
6500 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
30746 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
VBsemi/臺(tái)灣微碧 |
SO-8 |
699839 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOP-8 |
502428 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
SOIC-8 |
19990 |
原廠原裝正品 |
詢價(jià) |
