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SI3590DV-T1-E3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?UltralowRDS(on)n-andp-channelforhigh efficiency ?Optimizedforhighside/lowside ?Minimizedconductionlosses ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Portabledevicesinc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI3590DV-T1-E3

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SI3590DV-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET N&P-CH 30V(D-S)

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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更多SI3590DV-T1-E3供應(yīng)商 更新時間2025-1-18 9:24:00