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SI1967DH-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
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廠商型號(hào) |
SI1967DH-T1-GE3 |
功能描述 | Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
文件大小 |
1.01902 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-25 15:38:00 |
人工找貨 | SI1967DH-T1-GE3價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
SI1967DH-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 20V 1.3A DUAL P-CH MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
SC-70-6 |
39997 |
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詢價(jià) | |||
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詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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