訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI1900DL-T1-E3>詳情
SI1900DL-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 0.63A標準國際
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI1900DL-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 30V 0.63A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
標準國際(香港)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
康小姐
- 手機:
13714976628
- 詢價:
- 電話:
0755-83206150/83258002/83223169
- 傳真:
0755-83617149
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813
相近型號
- SI-18752
- SI1901DL
- SI18752
- SI-18751
- SI1901DL-T
- SI1901DL-T1
- SI18751
- SI1901DL-T1-E3
- SI-186G
- SI1901DL-T1-GE3
- SI1869DH-T1-GE3
- SI1869DHT1GE3
- SI1901DL-T1IC
- SI1902
- SI1869DH-T1-E3IC
- SI19021CTU
- SI1869DH-T1-E3
- SI1902CDL
- SI1869DHT1E3
- SI1902CDL-T1-BE3
- SI1869DH-T1-BE3
- SI1902CDL-T1-E3
- SI1869DH-T1
- SI1902CDLT1GE3
- SI1869DH
- SI1902CDL-T1-GE3
- SI1867DL-T1-GE3
- SI1902CDL-T1-GE3IC
- SI1867DLT1GE3
- SI1902DL
- SI1902DL1-E3
- SI1867DL-T1-E3
- SI1902DL-T
- SI1867DLT1E3
- SI1902DLT1
- SI1902DL-T1
- SI1867DH-T1-GE3
- SI1902DL-T1-BE3
- SI1902DL-T1-E1
- SI1865DL-TI-E3
- SI1865DL-T3
- SI1902DLT1E3
- SI1902DL-T1-E3
- SI1865DL-T2-E3-S
- SI1902DL-T1-E3IC
- SI1865DL-T1-GE3
- SI1865DLT1GE3
- SI1902DLT1GE3
- SI1902DL-T1-GE3
- SI1865DL-T1-E3IC