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SGW25N120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGW25N120
廠商型號

SGW25N120

參數(shù)屬性

SGW25N120 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 46A 313W TO247-3

功能描述

NPT IGBT

文件大小

327.25 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-24 13:35:00

SGW25N120規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=3.6V@IC=25A

· Short Circuit Capability

· Low Power Loss

APPLICATIONS

· Power Inverters

· SMPS

· Battery Chargers

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    SGW25N120FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.6V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    3.7mJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    45ns/730ns

  • 測試條件:

    800V,25A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 46A 313W TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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