SGW25N120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
SGW25N120 |
| 參數(shù)屬性 | SGW25N120 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 46A 313W TO247-3 |
| 功能描述 | NPT IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
327.25 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-23 9:39:00 |
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SGW25N120規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=3.6V@IC=25A
· Short Circuit Capability
· Low Power Loss
APPLICATIONS
· Power Inverters
· SMPS
· Battery Chargers
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
SGW25N120FKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3.6V @ 15V，25A
- 開關(guān)能量：
3.7mJ
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
45ns/730ns
- 測試條件：
800V，25A，22 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO247-3-1
- 描述：
IGBT 1200V 46A 313W TO247-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
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