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SGS6N60UFD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGS6N60UFD
廠商型號(hào)

SGS6N60UFD

參數(shù)屬性

SGS6N60UFD 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 6A 22W TO220F

功能描述

Ultra-Fast IGBT

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

590.55 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-19 20:46:00

SGS6N60UFD規(guī)格書詳情

General Description

Fairchilds UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses. The UFD series is designed for applications such as motor control and general inverters where high speed switching is a required feature..

Features

? High speed switching

? Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3A

? High input impedance

? CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 35ns (typ.)

Application

AC & DC Motor controls, general purpose inverters, robotics, servo controls

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SGS6N60UFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,3A

  • 開關(guān)能量:

    57μJ(開),25μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    15ns/60ns

  • 測(cè)試條件:

    300V,3A,80 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220F-3

  • 描述:

    IGBT 600V 6A 22W TO220F

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
專業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營-可開原型號(hào)增稅票
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